月: 9 月 2026 [每月数据]

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电机一堵转就烧驱动？HCR8871 用一颗电阻把限流做进芯片里
HCR8871 内部集成 4 颗 N 沟道 MOSFET 构成完整 H 桥，内置电荷泵驱动高侧管，两个逻辑输入 IN1/IN2 直接控制方向和刹车，支持 PWM 调速。 　　核心指标：VM 供电 6.8V~45V、3.6A...
2026-9 月-08
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保护板上少放一颗料：内置 MOS 的单节锂电保护 IC HCR2692 参数、选型与设计逐项拆解
HCR2692 是一颗单节锂离子 / 锂聚合物电池保护 IC，内部已经集成充电、放电两颗功率 MOSFET，串联在电池负极回路（VSS 接电池负，EB- 接系统负）。它一次性提供过充电压、过放电压、充电过流、放电过流、负载短路、过温六类保护，另带电池反接保护和可选的0V...
2026-9 月-08
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