TECHNICAL NOTE · COMPETITIVANALVSISHCR3235 工业级24V转5V电源设计方案
深度解析HCR3235同步降压转换器设计方案，并与MP1584、TPS5430、XL4015、LM2596四款主流竞品进行全维度对比分析。
01引言
HCR3235芯片概述与核心电气参数
HCR3235是禾芯荣半导体自主研发的一款宽输入电压、高效率同步降压DC/DC转换器支持CV (恒压)和CC (恒流)两种工作模式。该器件内部集成了高侧PMOSFET(25mΩ@VIN=12V/40mΩ@VIN=5V)和低侧NMOSFET(25mΩ) ,并支持外部PMOS驱动以进一步降低导通压降。
1.1芯片关键参数
| 参数 | 规格 | 备注 |
| 输入电压范围 | 4.5V～30V | 绝对最大值33V |
| 输出电流能力 | 典型3.5A @5V输出 | 开关电流限制典型5A |
| 开关频率 | 120KHz | 固定频率 |
| 峰值效率 | 94%(@12V₁N→5V/3A) | 同步整流架构 |
| 反馈电压精度 | ±2% | VREF=1.22V(1.19~1.25V) |
| 最大占空比 | 100% | 支持dropout模式 |
| 轻载模式 | PFM(自动切换) | 提升轻载效率 |
| 封装 | SOIC-8 | RθJA=60°C/W |
1.2核心差异化优势
外部PMOS驱动(独有功能)支持在V₁n与SW之间并联外部PMOS,进一步降低导通压降，提升重载效率。PD引脚提供专用驱动，是同类产品中独有的扩展架构。
100%占空比适用于输入电压接近输出电压的极端场景，无需dropout电压裕量，在低压差工况下仍可维持输出稳定。
Hiccup短路保护输出短路时进入间歇工作模式(周期约475ms),大幅降低系统 热应力，故障消除后自动恢复，适合无人值守工业场景。
PFM轻载模式轻载时自动切换至PFM模式，降低开关损耗，提升轻载效率，适 应工业设备待机功耗要求。
02核心原理图设计(24 V→5V/3A)
输出电压设定、关键元件选型与电路架构逻辑
2.1输出电压设定
HCR3235反馈基准电压VREF典型值为1.22V(精度±2%) 。
| VOUT=VREF×(1+RFB1/RFB2) |
推荐配置(1%精度电阻):RFB2=39kΩ,RFB1≈120kΩ (计算值得121kΩ, 取标准值120kΩ)。
| VOUT =1.22V×(1+120/39)=1.22V×4.077≈4.97V(偏差-0.6%,满足±2%) |
| 设计提示 在RFB1上并联一个小电容(10pF~100pF)可改善系统稳定性和瞬态响应。数据手册还指出，通用DC/DC应用建议RFB1取值10kΩ~30ko以减小线损补偿影响四。 |
2.2关键外围元件选型
| 元件 | 推荐规格 | 设计依据 |
| 输入电容CIN | 22μF~47μF/35V(X7R) | 靠近IN引脚；陶瓷电容需考虑DC偏置下的容量衰减 |
| 输出电容COUT | 22μF-100μF/10V(低ESR) | 建议2颗22μF陶瓷并联 |
| 功率电感L1 | 33μH~47μH/Isat≥4.5A | DCR建议<50mQ,屏蔽型 |
| EN分压 | 100kΩ+27kΩ | EN耐压最大6V,分压约5.1V(安全范围) |
| 稳定性补偿 | 10pF~100pF | 并联于RFB1两端 |
电感计算(取△IL≈0.8A,fsw=120KHz):
| L=VOUT×(VIN-VOUT)/(VIN×△IL×fSW)=5×(24-5)/(24×0.8×120k)≈41μH |
2.3原理图架构逻辑
功率回路VIN→CIN→IC(IN/SW)→L1→CouT→GND
反馈回路VouT→RFB1→FB引脚→RFB2→信号地(单点接地)
可选增强若需突破3.5A限流，可在V₁n与sw间并联P-MOS (如HCR3401P),由PD引脚驱动
HCR3235典型应用电路(24V→5V/3A,无外部PMOS)
03PCB布局设计准则
输出电压设定、关键元件选型与电路架构逻辑严格遵循以下布局准则，确保EMI性能与热可靠性!
| ID | Name | Design ator | Footprint | Quantity |
| 1 | HCR3235 | U1 | SOIC-8 | 1 |
| 2 | 390K | R1 | R0603 | 1 |
| 3 | 100K | R2 | R0603 | 1 |
| 4 | 39K | R3 | R06031% | 1 |
| 5 | 120K | R4 | R0603 1% | 1 |
| 6 | 10R | R5 | R0603 | 1 |
| 7 | 100uF/50V | C1 | 电解电容（低ESR） | 1 |
| 8 | 104P/50V | C2 C4 | 电解电容（X7R） | 2 |
| 9 | 1nF | C3 | C0603 | 1 |
| 10 | 220uF/25V | C5 | 电解电容（低ESR） | 1 |
| 11 | HCR3401P | Q1 | SOT23 PMOS管 | 1 |
| 12 | 33uH | L1 | 8mm*8mm | 1 |
3.1最小化功率回路面积
由CIN、IN、SW、L1和GND构成的交流电流回路(Hot Loop)
必须做到面积最小，这是降低EMI辐射的根本。
3.2输入电容就近摆放
CIN负极必须通过宽铜皮或过孔阵列紧贴IC的GND引脚(Pin 7/8)返回，路径越短越好。
3.3单点接地(星型接地)
反馈电阻分压中心点用独立走线接至FB 引脚，分压电阻地端单独引线至信号地(SGND),严禁直接接功率地大电流路径。
3.4散热处理
Pin7/8 (GND)铜皮加宽并打大量过孔连接至底层敷钢，辅助散热。建议GND覆铜面积≥200mm²。
04竞品深度对比分析
MP1584/TPS5430/XL4015/LM2596逐一拆解
MP1584
Monolithic Power Systems(美国)
基本参数
输入电压4.5V~28V,标称3A输出电流，开关频率可编程100kHz~1.5MHz，FB基准电压0.8V，最高效率可达96%[2]。
| 元件 | 规格 | 说明 |
| CIN | 10μF~22μF(低ESR陶瓷) | 靠近VIN和PGND引脚，可并联100nF |
| CaST | 0.1μF | BST与SW引脚之间，耐压高于输入电压 |
| L1 | 10μH~22μH | 饱和电流需大于最大输出电流+纹波峰值(留30%-50%裕量) |
| CouT | 20μF~100μF | 建议大容量与小容量并联 |
| D1(肖特基) | 1A/40V(如SS14) | 强烈建议外部并联以降低导通损耗 |
输出电压公式：VOUT=0.8V×(1+R1/R2)
设计注意事项
EN引脚使能电压需在3V-6V以内；官方电路针对12V以上没问题，但5V输入时EN电压过低会导致不工作耐压仅28V,29V输入加负载芯片即损坏；工业24V环境使用有风险标称3A 输出，实测2A发热尚可，再大发热严重空载电流仅0.37mA,空载或轻载时输出为锯齿波
PCB布局核心要点
SW节点是整板EMI主要来源，不当走线可使输出噪声增加3倍以上。
| 回路类型 | 差布局 | 好布局 | 噪声降低 |
| 输入回路 | 320mm² | 45mm² | 68% |
| 续流回路 | 280mm² | 30mm² | 72% |
| 自举回路 | 150mm² | 25mm² | 65% |
实测数据
- 输出纹波：<30 mV
- 效率：某车型中控屏供电方案中，12V→5V/2.5A 实测效率92%,温升仅15℃
- 短路保护：短路电流阈值4.87A
TPS5430
Texas Instruments(美国)
基本参数
输入电压5.5V~36V,输出电流3A (峰值5A),开关频率500kHz,FB基准电压1.22V(精度±1.5%)[3]。
参数修正
TPS5430的反馈基准电压为1.22V(TI官方产品页标注”Adjustable Downto1.22V With1.5%Initial Accuracy”),而非部分资料中的0.87V。输出电压公式应为VOUT=1.22V×(1+R1/R2)[3]
原理图要点
- 输入滤波：低ESR电解电容(100μF/50V)+高频陶瓷旁路(100nF X7R+10μF X5R并联)
- 输出滤波：屏蔽式功率电感(10~22μH,饱和电流≥4.5A)+低ESR固态电容(470μF/16V)+陶瓷电容(22μF×2)
- 反馈网络：高精度(0.1%) 金属膜电阻
- BOOT引脚：自举二极管(如SS14)+自举电容(0.1μF X7R)
- EN引脚：RC延时电路或MCU可控电平
PCB布局要点
- 四层板结构(Top-Signal/GND/PWR/Bottom-Signal)，第二层为完整连续接地平面
- 功率回路严格约束在顶层短距走线
- SW节点铜箔加宽至2mm以上，避免过孔分割
- IC底部PowerPAD通过不少于8个热过孔连接至内层GND平面
- 敏感信号(FB、COMP、RT)走线远离SW、VIN等高频噪声源，并采用包地处理
实测数据
- 输出纹波：正电压约24mV,负电压约40mV
- 实际效率：并非官方标称的95%,实测约88%
- 效率曲线：1A左右效率最高，电流变大或变小效率都会降低
- 布局不佳时，空载纹波看不出问题，一带载纹波就明显增大
XL4015
芯龙半导体(国产)
基本参数
输入电压8V~36V,输出电流5A,开关频率180kHz,FB基准电压1.25V。非同步整流方案，需外接续流二极管。
原理图要点
- 参考芯片官方手册XL4015 DEMO board manual
- 立创开源平台有完整的XL4015E1原理图和PCB设计
- PCB尺寸可做到25mm×50mm
实测数据
- 效率：24V转5V时约92 %
- 热性能：24V输入、5V/3A 输出时，芯片表面温度约65℃(环境25°℃)
- 长期工作建议控制在3A以内(标称5A)
- 峰值效率：96%
选型优势
相比LM2596,XL4015温度更低、效率更高、电流更大；正品约4元，性价比突出。立创开源项目提供了空载、1A、3A、5A负载波形供参考。
LM2596
ON Semiconductor/TI(美国)
基本参数
输入电压4.5V~40V,输出电流3A,开关频率150kHz, FB基准电压1.23V【4】。非同步整流方案，必须外接续流二极管(如1N5822、SS34、SB360等3A以上肖特基二极管)。
| 元件 | 规格 | 说明 |
| 输入电容C1 | ≥22μF(建议100μF),耐压>Vin_max×1.5 | 低ESR电解+陶瓷并联 |
| 续流二极管D | 3A以上肖特基(1N5822/SS34/SB360) | 阴极接SW引脚 |
| 功率电感L | 33μH-100μH(典型47μH) | 饱和电流>输出电流×1.5 |
| 输出电容C2 | ≥100μF | 低ESR电解+10μF陶瓷 |
输出电压公式：VOUT=1.23V×(1+R1/R2)
PCB布局核心要点
- 输入电容必须紧贴Vin和GND引脚(<5mm ),减小开关环路面积
- SW节点最小化：SW引脚→电感→二极管的路径尽可能短
- 单点接地(星型接地):输入电容地、芯片GND、二极管地、输出电容地汇聚到一点
- 反馈电阻靠近 FB引脚放置，远离电感和二极管
- 芯片底部散热焊盘大面积敷铜并打散热过孔
实测数据与注意事项
- 效率：最高约90%(输入25V,输出12V);12V输入、5V/3A输出时效率约73%~90%
- 轻载波形：负载较小时，输出波形呈现导通、截止和高阻自由震荡三个阶段
- 真伪辨别：市面很多LM2596实际是LM2576(52kHz)打磨后重新印字，用示波器测开关纹波频率可辨别真伪
05综合对比一览
五款芯片全维度横向对比
| 对比维度 | HCR3235 | MP1584 | TPS5430 | XL4015 | LM2596 |
| 厂商 | 禾芯荣(国产) | MPS(美国) | TI(美国) | 芯龙(国产) | NS/TI(美国) |
| 输入电压 | 4.5V~30V | 4.5V~28V | 5.5V~36V | 8V~36V | 4.5V~40V |
| 输出电流 | 3.5A(典型) | 3A | 3A(峰值5A) | 5A | 3A |
| 开关频率 | 120KHz | 500KHz~1.5MHz | 500KHz | 180KHz | 150KHz |
| 同步整流 | 是 | 是 | 是 | 否 | 否 |
| 外部PMOS驱动 | 独有 | 否 | 否 | 否 | 否 |
| 100%占空比 | 支持 | 否 | 否 | 否 | 否 |
| 短路保护 | Hiccup | 限流 | 限流 | 限流 | 限流 |
| FB基准 | 1.22V | 0.8V | 1.22V | 1.25V | 1.23V |
| 实测效率 | 94% | 92-96% | ~88% | 92-96% | ~73~90% |
| 实测纹波 | 一 | <30mv | ~24mV | 一 | 一 |
| PCB难度 | 中(120KHz) | 高(1.5MHz) | 中 | 中 | 低 |
图1:五款芯片多维度雷达对比(满分10分)
以下三组柱状图分别对比输入电压范围、峰值效率和输出电流能力：图2:输入电压范围对比(V)
图3:峰值效率对比(%)
图4:输出电流能力对比(A)
06选型建议
基于应用场景的芯片推荐
工业24V→5V/3A, 追求高效率与保护完善
HCR3235
94% 效率、Hiccup保护、外部PMOS可扩100%占空比。
汽车级、高可靠性要求
TPS5430
TI 汽车级认证、完善的保护功能、36V宽输入。
经典低成本方案
LM2596
成熟稳定、外围简单、电压范围宽(4.5~40 V)。
小体积、中低频需求
MP15841.5MHz高频可减小电感体积，适合空间受限场景。
大电流(5A) 输出需求
XL40155A 输出能力、性价比高(正品约4元)。
需要dropout模式(输入接近输出)
HCR3235100%占空比支持，低压差工况下仍可维持输出稳定。
07设计资源获取建议
开源项目、技术文档与学习资源
立创开源硬件平台
oshwhub.com 一搜索芯片型号可找到大量开源原理图/PCB设计，含XL4015E1完整方案。
CSDN/ 21ic下载频道提供AD格式的原理图、PCB源文件、Gerber, 涵盖多款芯片的参考设计。
芯片原厂官网TI(TPS5430)、MPS(MP1584)、芯龙( XL4015)均有官方DEMO板资料和完整数据手册。
B站视频教程搜索”XL4015 原理图 PCB”等关键词有详细视频讲解，适合入门学习。
08总结
HCR3235 差异化优势与设计要点回顾
HCR3235凭借4.5V~30V宽输入电压范围、高达94%的转换效率、独有的外部PMOS驱动架构、100%占空比支持以及完善的Hiccup短路保护机制，在2 4V转5V/3A的工业级应用场景中，相比MP1584、TPS5430、XL4015、LM2596等竞品具有显著差异化优势。
设计要点回顾
功率回路面积最小化：CIN→IN→SW→L→GND回路是EMI控制的核心
EN引脚分压安全范围：必须低于6V最大耐压(100kΩ+27kQ分压约5.1V)
反馈电阻精度：使用1%电阻，RFB1=120kΩ/RFB2=39kΩ,输出4.97V
散热设计：GND覆铜≥200mm²+散热过孔阵列，高温环境降额或加外部PMOS
电感选型：47μH屏蔽型，饱和电流≥4.5A,DCR<50mΩ
参考资料
1.HCR Semiconductor,HCR3235 Datasheet-3.5A,3 0V,120KHz Synchronous Step-Down Converter with External PMOS Driver、提供电气参数、引脚定义、典型应用电路及 PCB布局指南。
https://www.hcrsemi.com/product/hcdp3235/
2.MPS(Monolithic Power Systems),MP1584 Datasheet-3A,1.5MHz,28V Step-Down Converter.提供4.5V-28V输入、3A输出、可编程频率等规格。
https://www.monolithicpower.com/en/mp1584.html
3.Texas Instruments,TPS5430 Product Page-5.5V to
36V Input,3A,500kHz Step-Down Converter.反馈基准1.22V,精度±1.5%。
https:/ /www.ti.com/product/TPS5430
4.onsemi,LM2596 Datasheet—3.0A Step-Down Switching Regulator.输入4.5V-40V,3A 输出，150kHz开关频率，FB基准1.23V。
https:/www.onsemi.com/download/data-sheet/pdf/Lm2596-d.pdf
本技术笔记基于HCR3235数据手册及竞品公开资料编写，参数均以各厂商最新数据手册为准。竞品实测数据来源于工程实践，仅供参考。
