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低压N-MOS场效应管

让禾芯荣之芯跨入电子产品世界的每个领域

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Part No. Technology Package Polarity BVDSS (V) ID (Tc=25℃) (A) Pulsed Drain Current (A) Power Dissipation (W) VGS (V) VGE(th) Rdson (10V) Rdson (4.5V) Rdson (2.5V) QG
Trench
SOT-23
N
30
7.7
30
1.4
??12
0.5 ~ 1.5
-
38
52
19
Trench
SOT-23
N
40
5.2
30
1.4
??20
1.0 ~ 2.5
43
64
-
3.5
Trench
SOT-23
N
40
5.8
30
1.4
??20
1.0 ~ 3.0
26
35
-
9.9
Trench
SOT-23
N
55
2.1
10
1.25
??12
0.6 ~ 2.0
-
125
157
2.6
Trench
SOT-23
N
60
2.0
10
1.25
??20
1.5~ 2.5
160
220
-
4.8
Trench
SOT-23
N
60
3.0
10
1.38
??20
1.0~ 2.0
90
120
-
6.0
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2025-07-04 07:32:15
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