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场效应管

让禾芯荣之芯跨入电子产品世界的每个领域
IGBT单管 (11)

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Part No. Technology Package Polarity BVDSS (V) ID (Tc=25℃) (A) Pulsed Drain Current (A) Power Dissipation (W) VGS (V) VGE(th) Rdson (10V) Rdson (4.5V) Rdson (2.5V) QG
HCR72N20B
Trench
TO-263-2L
200
350
134
??20
2.0 ~ 4.0
127
HCR75T65W
IGBT
TO-247
500

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